Package：

Packaging：

Channel Mode：

Channel Type：

Typical Fall Time：

Typical Rise Time：

Typical Turn-Off Delay Time：

Typical Turn-On Delay Time：

Maximum Continuous Drain Current：

RDS-on：

Maximum Drain Source Voltage：

Maximum Gate Source Voltage：

FET 型：

4 N 通道（半桥）

FET 型：

4 N 通道（半桥）

FET 特点：

标准型

FET 特点：

标准型

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25 C：

420 毫欧 @ 11A, 10V

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25 C：

420 毫欧 @ 11A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)：

1000V (1kV)

漏极至源极电压(Vdss)：

1000V (1kV)

电流 - 连续漏极(Id) @ 25 C：

22A

电流 - 连续漏极(Id) @ 25 C：

22A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：

5V @ 2.5mA

Id 时的 Vgs(th)（最大）：

5V @ 2.5mA

闸电荷(Qg) @ Vgs：

186nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：

5200pF @ 25V

功率 - 最大：

390W

安装类型：

底座安装

封装/外壳：

SP4

包装：

散装